特許

J-GLOBAL ID：200903052824104943

半導体装置

発明者： 奥村 孝一郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-181359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036246
出願日： 1995年07月18日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】アクティブ時とスタンバイ時で基体のバイアスを変えて閾値電圧を制御することによりアクティブ時では高速でスタンバイ時では低消費電力を実現する半導体装置と基体バイアス回路を提供する。【解決手段】SOI基板上に形成されたNMOSのP型シリコン基体104a,104bをアクティブ時には接地電位に、スタンバイ時には接地電位より低い電位にして、同様にPMOSのN型シリコン基体106a,106bをアクティブ時には電源電位に、スタンバイ時には電源電位より高い電位にする。シリコン基体の容量が小さいのでスタンバイ時のバイアス回路110,111の消費電力を低減することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン・オン・インシュレータ基板上に形成した複数のPチャネルMOSFETと、複数のNチャネルMOSFETと、バイアス回路とを含み、前記バイアス回路は、前記複数のPチャネルMOSFETの内少なくとも一部のPチャネルMOSFETのゲート電極下部のシリコン基体部にはアクティブ時に電源電圧を供給し、スタンバイ時には前記電源電圧よりも高い電圧を供給するとともに、前記複数のNチャネルMOSFETの内少なくとも一部のNチャネルMOSFETのゲート電極下部のシリコン基体部にはアクティブ時に接地電位を供給し、スタンバイ時には接地電位よりも低い電圧を供給することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 27/08 321 B ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/04 B ,  H01L 29/78 613 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及び半導体装置のオペレーティング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-251836   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体回路及びMOS-DRAM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-282306   出願人：三菱電機株式会社