特許
J-GLOBAL ID：200903052845862740
ガスセンサ素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
, 高橋 祥起
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074269
公開番号（公開出願番号）：特開2007-248351
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】製造容易であると共に材料コストを低減することができ、かつ耐久性に優れた精度の高いガスセンサ素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】酸素イオン伝導性の固体電解質体11と、固体電解質体11の一方の面に設けた被測定ガス側電極12と、固体電解質体11の他方の面に形成した基準ガス側電極13と、被測定ガス側電極12を覆うと共に被測定ガスを透過させる多孔質層2とを有するガスセンサ素子1。多孔質層2は、固体電解質体11に近い側に、気孔率の大きい粗層21を有し、粗層21よりも固体電解質体11から遠い側に、粗層21よりも気孔率の小さい緻密層22を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸素イオン伝導性の固体電解質体と、該固体電解質体の一方の面に設けた被測定ガス側電極と、上記固体電解質体の他方の面に形成した基準ガス側電極と、上記被測定ガス側電極を覆うと共に被測定ガスを透過させる多孔質層とを有するガスセンサ素子であって、
上記多孔質層は、上記固体電解質体に近い側に、気孔率の大きい粗層を有し、該粗層よりも上記固体電解質体から遠い側に、上記粗層よりも気孔率の小さい緻密層を有することを特徴とするガスセンサ素子。
IPC (2件)：
FI (5件)：
G01N27/46 325D
, G01N27/46 325G
, G01N27/46 325H
, G01N27/46 325L
, G01N27/58 B
2G004BB04
, 2G004BD05
, 2G004BF08
, 2G004BF09
, 2G004BJ03
