特許
J-GLOBAL ID：200903052873904025
2次元半導体光結晶素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032311
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232258
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 作製を容易にし、また材料が限定されなくする。【解決手段】 GaAsからなりかつ周期的な垂直な穴17を有するすなわち2次元周期構造を有する半導体光結晶層13と表面にSiO2からなる低屈折率誘電体層14を有しかつGaAsからなる基板15とからなり、半導体光結晶層13と低屈折率誘電体層14とが平面接触されている。
請求項（抜粋）：
2次元周期構造を有する半導体光結晶層と少なくとも一方の表面に低屈折率誘電体層を有する基板とを有し、上記半導体光結晶層と上記低屈折率誘電体層とが平面接触していることを特徴とする2次元半導体光結晶素子。
Fターム (7件)：
5F073AA36
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB19
, 5F073DA22
, 5F073DA35
, 5F073EA29
