特許

J-GLOBAL ID：200903052914453017

窒化物半導体結晶及びその製造方法

発明者： 高野 和人
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-036027
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222361
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】Si基板上にIII-V族窒化物半導体結晶を成長する際、そのバッファー層たるAlN薄膜において、格子定数差による薄膜の結晶品質(表面平坦性、配向性、転位密度)の劣化を極力抑止すること。【解決手段】Si基板1上にバッファー層としてAlN層2を形成し、その上にIII-V族窒化物半導体結晶を薄膜として積層する窒化物半導体結晶の製造方法において、上記AlN層2の成長初期に、AlNの原料と共にSi原料を流しながら成長することにより、Si元素を1×1020cm-3以上の濃度になるように添加してAlNとSiの混晶層を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si基板上にバッファー層としてAlN層を形成し、その上にIII-V族窒化物半導体結晶を薄膜として積層した窒化物半導体結晶において、上記AlN層の基板近傍の一部に、Si元素を1×1020cm-3以上の濃度になるように添加してAlNとSiの混晶層を形成したことを特徴とする窒化物半導体結晶。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34

FI (2件)：

H01L21/205 ,  C23C16/34

Fターム (22件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030BB06 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AE15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-354563   出願人：理化学研究所, 田中悟, 武内道一