特許
J-GLOBAL ID：200903052928223367
基板乾燥方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255893
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091298
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 スピン乾燥方式におけるウォータマークの発生を抑制することができる基板乾燥方法を提供すること。【解決手段】 ウェーハの回転状態を、第1の回転数R1 で行う第1段階と、第2の回転数R2 で行う第2段階とに分け、ウェーハの回転開始時間t0 と第1段階の開始時間t1 、及び、第1段階の終了時間t2 と第2段階の開始時間t3 、をそれぞれ相近接させて、すなわち各回転数R1 、R2 までの立上げ時間を小さくすることにより最大加速度を大きくしてウェーハを回転させる。
請求項（抜粋）：
高速回転による遠心力を利用して洗浄後の半導体基板を乾燥する基板乾燥方法において、第1の回転数で前記半導体基板上の水分を移動させる第1段階と、前記第1の回転数より高い第2の回転数で前記半導体基板上から水分を振り切る第2段階とを有し、前記半導体基板の回転開始時間と前記第1段階の開始時間、及び、前記第1段階の終了時間と前記第2段階の開始時間、をそれぞれ相近接させて前記半導体基板を回転させることにより、前記半導体基板上のウォータマークの発生を抑制するようにしたことを特徴とする基板乾燥方法。
引用特許：
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