特許

J-GLOBAL ID：200903052940087487

半導体基板の洗浄液及びその洗浄方法

発明者： 高田 涼子 ,  岸本 幹男 ,  高石 和成
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193884
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031104
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板表面に付着する金属不純物及び微粒子の双方を良好に除去する。【解決手段】 0.1重量%を越えた50重量%以下の有機酸と0.005〜0.25重量%のフッ酸を含みpHが4以下である洗浄液15を用いて半導体基板11を洗浄する。汚染基板11を洗浄液に浸漬するとフッ酸により基板表面の自然酸化膜12が除かれ、膜上の微粒子13、金属不純物14及び膜中の金属不純物14が液中に移行する(b)。洗浄液が有機酸を含むpH4以下の酸性溶液であるため微粒子は基板表面と同じマイナスに荷電されるとともに有機酸の錯化効果により液中の金属不純物イオンはマイナスの錯イオンとなる。この結果、微粒子も金属不純物もそれぞれの表面電位が基板の表面電位と同じマイナスになるため、基板への付着又は再付着が防止される(c)。

請求項（抜粋）：

0.1重量%を越えた50重量%以下の有機酸と0.005〜0.25重量%のフッ酸を含みpHが4以下である半導体基板の洗浄液。

IPC (3件)：

H01L 21/304 642 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/28

FI (3件)：

H01L 21/304 642 E ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/28

Fターム (13件)：

4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003DC04 ,  4H003EA03 ,  4H003EA05 ,  4H003EA31 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB16 ,  4H003ED02 ,  4H003EE03 ,  4H003EE04 ,  4H003FA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 洗浄剤及び洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-024850   出願人：ダイキン工業株式会社