特許

J-GLOBAL ID：200903052944731062

窒化物半導体レーザ装置

発明者： 高倉 輝芳 ,  津田 有三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-202911
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027181
出願日： 2005年07月12日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】 上記窒化物半導体レーザ装置において、リッジストライプの損傷を防止し、且つ放熱性が良好で信頼性の高い窒化物半導体レーザ装置を提供すること。【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、窒化物半導体レーザ素子は、p型窒化物半導体層と、p型電極と、金属膜とを含み、p型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、p型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつp型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、金属膜はp型電極上に形成され、かつ金属膜とp型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体レーザ素子がサブマウントまたはステムにジャンクションダウンで接合された窒化物半導体レーザ装置において、 前記窒化物半導体レーザ素子は、p型窒化物半導体層と、p型電極と、金属膜とを含み、 前記p型窒化物半導体層上面に、狭窄化されたリッジストライプが形成され、かつ、該リッジストライプに沿って両脇に溝部が設けられたダブルチャネル構造が設けられ、 前記p型電極は前記リッジストライプの頂上部に接し、かつ前記p型窒化物半導体層上面の形状に適合するように形成され、 前記金属膜はp型電極上に形成され、かつ該金属膜とp型電極との間に空洞がないことを特徴とする、窒化物半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 5/042 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01S5/042 612 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323 610

Fターム (9件)：

5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AK04 ,  5F173AK20 ,  5F173AK21 ,  5F173AL10 ,  5F173AL17 ,  5F173AR72 ,  5F173AR93

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-302709   出願人：三菱電機株式会社