特許

J-GLOBAL ID：200903052951430060

超電導デバイス

発明者： 西野 壽一 ,  川辺 潮 ,  樽谷 良信 ,  会田 敏之 ,  深沢 徳海 ,  小南 信也 ,  波多野 睦子
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-174326
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031852
出願日： 1988年02月24日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【目的】高感度で高速の光検出デバイスを提供する。【構成】超電導体に弱結合部を設け、超電導体の結晶のc軸と電流の流れる方向とが垂直となるようにする。さらに、超電導体の弱結合部に接して光導電性半導体を設ける。

請求項（抜粋）：

弱結合部を有する超電導体を含んで構成され、上記超電導体の結晶のc軸と電流の流れる方向とが垂直であることを特徴とする超電導デバイス。

IPC (2件)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA

FI (2件)：

H01L 39/22 ZAA G ,  H01B 12/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭63-306677