真空処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-196122
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027458
出願日： 1995年07月07日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハなどの真空処理に用いられる、ロータ部を備えた真空ポンプ内の反応生成物の付着を防止すること。【構成】処理室2に排気管31、ドラッグポンプ4、排気管32、トラップ71、ドライポンプ72を接続し、排気管31、32の外周面にはテープヒータ66を巻装すると共に、ドラッグポンプ4にはロータ部5の側面と対向する整流板50の内面に抵抗発熱体61を設け、ロータ部5の上面と対向する網目状板56の上面に抵抗発熱体62を設ける。処理の際にはテープヒータ66、抵抗発熱体61、62により排気管31、32の内面とロータ部5の外面の温度を反応生成物の析出温度よりも高い温度に加熱すると、反応生成物は排気管31、32、ドラッグポンプ4を気体状態で通過し、トラップ71にて捕集される。

請求項（抜粋）：

処理ガスを導入して真空雰囲気下で被処理体に対して真空処理を行うための気密な処理室と、この処理室に排気路を介して接続され、ケ-シング内のロ-タ部を回転させて真空排気を行う真空ポンプとを有する真空処理装置において、前記真空ポンプ内の通気路に面したケーシング内面とロータ部とを、前記処理室からの排気物が析出する温度よりも高い温度に加熱するための第1の加熱手段を、前記真空ポンプの内部に設けたことを特徴とする真空処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/302 B , H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-271098
特開平3-290091
真空容器用真空排気装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211749 出願人：株式会社島津製作所

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