特許
J-GLOBAL ID：200903052988285191

シリコン窒化膜のエッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
西沢 厚

西沢 厚 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-362810
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176842
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 銅配線上のシリコン窒化膜をエッチング除去する際に、銅フッ化物の生成を抑制したエッチング方法を提供する。【解決手段】 銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、フルオロカーボン系ガスがCF4とCHF3とを3:7〜0:1の流量比、或いはCF4とCH2F2とを2.5:1〜0:1の流量比で含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
銅の上に配されたシリコン窒化膜をフルオロカーボン系ガス及び不活性ガスとを含む混合ガスを反応ガスとしてドライエッチングするに際し、前記フルオロカーボン系ガスが、CF4とCHF3とを3:7〜0:1の流量比で含有することを特徴とするシリコン窒化膜エッチング方法。
Fターム (14件)：
5F004AA08 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB25 ,  5F004EA23 ,  5F004EB03
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-019244   出願人：富士通株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-113422   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開昭60-115231
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