特許
J-GLOBAL ID:200903052999757699
半導体素子搭載用の支持体および半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-213894
公開番号(公開出願番号):特開2007-035748
出願日: 2005年07月25日
公開日(公表日): 2007年02月08日
要約:
【課題】 支持体に設けられた銀鍍金の劣化による信頼性低下を改善する。【解決手段】 本発明は、基材に、銀を含む第一の金属と、Ti、W、Mo、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Zn、Cuから選択された少なくとも一種の金属を含む第二の金属と、が順に積層された金属層を備えていることを特徴とする半導体素子搭載用の支持体である。また、本発明は、基材に、銀を含む金属を鍍金して第一の金属層を形成した後、第一の金属層の表面に、Ti、W、Mo、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Zn、Cuから選択された少なくとも一種の金属を含む金属をスパッタリングあるいは蒸着して第二の金属層を形成することを特徴とする半導体素子搭載用支持体の製造方法である。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基材に配置された銀を含む第一の金属の少なくとも一部に、Ti、W、Mo、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Zn、Cuから選択された少なくとも一種の金属を含む第二の金属が積層された金属層を備えていることを特徴とする半導体素子搭載用の支持体。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L23/12 F
, H01L33/00 N
Fターム (9件):
5F041AA03
, 5F041AA44
, 5F041CA40
, 5F041DA07
, 5F041DA19
, 5F041DA33
, 5F041DA34
, 5F041DA36
, 5F041DA43
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (2件)
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発光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-429381
出願人:京セラ株式会社
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発光デバイス用基板および発光デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-187115
出願人:日立エーアイシー株式会社
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