特許
J-GLOBAL ID：200903053028009641

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
横山 孝司

横山 孝司 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305926
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072541
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】多層化が進んだ半導体装置においても、層構造によらずに半導体基板部分に効果的に水素を供給することが可能で、トランジスタのチャネル近傍のダメージを効果的に回復させることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。【解決手段】深さ方向に酸化膜層3を有し、素子分離領域5で分離されたSOI基板1の表面領域にトランジスタ7を形成する。トランジスタ7が形成されたSOI基板1上に層間絶縁膜26を形成する。この層間絶縁膜26に素子分離領域5に達する孔27を形成し、次いで孔27内を埋め込むように水素含有絶縁膜29を形成し、孔27内に水素含有材料を埋め込んでなる水素供給路Aを形成する。その後、必要な工程を行った後、熱処理を行うことにより水素供給路Aから素子分離領域5、およびこれに接続された酸化膜層3を介してSOI基板1に水素Hを供給する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁性の素子分離領域で分離された半導体基板の表面領域にトランジスタを形成する工程と、 前記トランジスタが形成された半導体基板上に、前記素子分離領域に達する水素供給路が設けられた層間絶縁膜を形成する工程と、 熱処理を行うことにより前記水素供給路から前記素子分離領域を介して前記半導体基板の水素を供給する工程とを有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786
FI (6件)：
H01L29/78 627E ,  H01L21/322 Z ,  H01L29/78 621 ,  H01L29/78 301N ,  H01L29/78 301Y ,  H01L21/90 J
Fターム (84件)：
5F033GG03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK06 ,  5F033KK25 ,  5F033MM02 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX00 ,  5F110AA04 ,  5F110AA19 ,  5F110CC02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL12 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ23 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK34 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CB04 ,  5F140CB10 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CC16 ,  5F140CE00
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-055341   出願人：ヤマハ株式会社
  • 重水素の貯蔵領域および進入パス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-007942   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
  • スタティックRAM
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182845   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (2件)
  • 重水素の貯蔵領域および進入パス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-007942   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ-ション
  • スタティックRAM
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-182845   出願人：ソニー株式会社

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