特許

J-GLOBAL ID：200903053032220853

薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置

発明者： 木下 智豊 ,  浅野 明彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012610
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209756
出願日： 2004年01月21日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】分子間力のみ、または分子間力と真空吸着力の両方により、素子形成基板と支持基板と接合されている状態で素子形成基板に薄膜デバイス層を形成した後、素子形成基板より支持基板を分離することで、既存の装置と既存のプロセスを使用し、かつ薄膜デバイス層を形成した後に大量の薬液を使わずに、基板を薄くした薄膜デバイスを得ることを可能とする。【解決手段】支持基板11に支えられた素子形成基板12に薄膜デバイス層13を形成する薄膜デバイス10の製造方法であって、前記支持基板11と前記素子形成基板12とは、分子間力のみ、または分子間力と真空吸着力の両方により接合されており、前記薄膜デバイス層13を形成した後に前記支持基板11と前記素子形成基板12とが分離されるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板に支えられた素子形成基板に薄膜デバイス層を形成する薄膜デバイスの製造方法であって、 前記支持基板と前記素子形成基板とは、分子間力のみ、または分子間力と真空吸着力の両方により接合されており、 前記薄膜デバイス層を形成した後に前記支持基板と前記素子形成基板とが分離される ことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。

IPC (9件)：

H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (8件)：

H01L29/78 612Z ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 342Z ,  G09F9/30 365Z ,  G09F9/35 ,  H01L27/12 B ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (55件)：

2H092JA26 ,  2H092JB13 ,  2H092KA04 ,  2H092MA12 ,  2H092MA22 ,  2H092MA31 ,  2H092MA37 ,  2H092PA01 ,  3K007AB18 ,  3K007CA00 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EB05 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG45 ,  5F110GG52 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 剥離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-300373   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜デバイス基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-250963   出願人：ソニー株式会社
• 液晶表示素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-254567   出願人：ソニー株式会社
• 液晶表示素子の製造方法および基板支持体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-300399   出願人：株式会社東芝