特許

J-GLOBAL ID：200903053036908108

電気フューズ素子を備えた半導体集積回路装置

発明者： 渡辺 陽二 ,  加藤 大輔
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241753
公開番号（公開出願番号）：特開2001-067893
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 電気フューズのプログラム/非プログラム状態を安定して検出するための回路技術を提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁膜に高電圧を印加し破壊することで電気的にプログラム可能なアンチフューズ素子、即ち電気フューズ素子を搭載する半導体集積回路が示されている。ここでは、そのアンチフューズ素子の導通抵抗を検知する回路のラッチ動作に先立ち、前記アンチフューズ素子の電極間を充電する手段が設けられている。

請求項（抜粋）：

電気的にプログラム可能な電気フューズと、電気フューズに選択的に制御電圧を印加しその導通抵抗を変化させるプログラム回路と、所定の制御信号を受け前記電気フューズ素子の導通抵抗に応じて内部状態が遷移する第1のラッチ回路と、前記第1のラッチ回路の動作に先立ち前記電気フューズを充電するプリチャージ手段とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 603 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

G11C 29/00 603 J ,  H01L 21/82 F

Fターム (10件)：

5F064FF02 ,  5F064FF05 ,  5F064FF16 ,  5F064FF28 ,  5F064FF46 ,  5F064FF52 ,  5L106CC01 ,  5L106EE07 ,  5L106FF01 ,  5L106GG00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-308070   出願人：株式会社日立製作所, テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド