分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152849
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340528
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】薄膜構造および誘電率の波長依存性を精度よく正確に決定する、分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法を提供する。【解決手段】ΨE ,ΔE スペクトル測定データ化ステップ10,20は、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE ( λi )とΔE ( λi ) を得る。ΨMk,ΔMkモデリングスペクトル算出ステップ21,22は、前記基板の(N0 (n0,k0 ))、第1層目の(d1,N1 (n1,k1 ))、第j層目の(dj , Nj (nj,kj ))を分散式を用いて仮定し、さらに公称入射角(φ0 )の近傍のφk を関数とする複数のモデルをたて、ここからモデリングスペクトルΨMk( λi ) とΔMk( λi ) を得る。比較評価ステップ23,24は、前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨMk, ΔMkモデリングスペクトルを比較し、評価基準に達した構造を測定結果と決定する。

請求項（抜粋）：

分光エリプソメータを用いた計測対象の基板表面の薄膜計測方法において、計測対象の基板表面の薄膜を、入射光の波長を変えて各波長λi ごとの入射光と反射光の偏光の変化である測定スペクトルΨE ( λi ) とΔE ( λi ) を得るΨE ,ΔE スペクトル測定ステップと、前記基板の(N0 (n0,k0 ))、第1層目の(d1,N1 (n1,k1 ))、第j層目の(dj,Nj (nj,kj ))を仮定してモデルを決定し、分散式を用いてモデリングスペクトルΨM ( λi ) とΔM ( λi ) を得るΨM,ΔM モデリングスペクトル算出ステップと、前記ΨE ,ΔE スペクトルと前記ΨM,ΔM モデリングスペクトルを比較し、評価基準に達した前記ΨM,ΔM の構造を測定結果と決定する比較評価ステップと、前記モデルが前記評価基準に合致しないときは、次の修正モデルを選定し、前記ΨM,ΔM モデリングスペクトル算出ステップを行い、前記比較評価ステップを行う修正ステップとを含む分光エリプソメータを用いた薄膜計測方法。

IPC (5件)：

G01B 11/06 , G01J 4/04 , G01N 21/21 , G01N 21/41 , G01N 21/45

FI (5件)：

G01B 11/06 Z , G01J 4/04 Z , G01N 21/21 Z , G01N 21/41 Z , G01N 21/45 A

Fターム (24件)：

2F065AA30 , 2F065BB17 , 2F065FF00 , 2F065GG03 , 2F065HH12 , 2F065JJ08 , 2F065LL00 , 2F065LL02 , 2F065LL33 , 2F065PP00 , 2F065UU05 , 2G059AA02 , 2G059AA03 , 2G059BB10 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059GG04 , 2G059GG06 , 2G059GG10 , 2G059HH02 , 2G059JJ17 , 2G059JJ19 , 2G059MM01 , 2G059MM02

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開平1-123135
プロセス管理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-300947 出願人：松下電器産業株式会社

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