特許
J-GLOBAL ID：200903053046204702
光集積回路およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049503
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263655
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 バットジョイント型の光集積回路を、接合部に異常成長を生じることなく、高い光結合効率を有するように形成することを目的とする。【構成】 基板上に形成された第1の半導体層上に第1の領域を保護するマスクをほどこし、ドライエッチング法により、第2の領域から半導体層を選択的に除去し、さらに、前記第2の領域に、前記第1の半導体層に対応する構成の第2の半導体層をMOCVD法により、前記第1の半導体層と端面において連続するように堆積させる。
請求項（抜粋）：
共通の基板上に相互に光学的に結合した第1の光半導体素子と第2の光半導体素子とを形成した光集積回路の製造方法において、基板上に第1の光半導体素子を構成する第1の化合物半導体層を堆積する工程と;前記第1の化合物半導体層上に、前記第1の光半導体素子が形成される第1の領域に対応してマスクパターンを形成する工程と;前記マスクパターンをマスクとして、前記第1の化合物半導体層を、第2の光半導体素子が形成される基板上の第2の領域から、エッチングにより除去する工程と;前記第2の領域に、前記第2の光半導体素子を構成する第2の化合物半導体層を、前記第2の化合物半導体層が前記第1の化合物半導体層と光学的に結合するように堆積する工程とよりなり、前記エッチング工程はドライエッチングにより実行され、前記第2の半導体層は有機金属気相堆積法により堆積されることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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