コロイド状シリカスラリー

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清原義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236453
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050594
出願日： 2000年08月04日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】シリコンウェーハやシリコンウェーハ上の配線材料に対して腐食などの悪影響を与えることがなく、しかも、微生物の発生を抑制するとともに、コロイド粒子の粒径安定性に優れるために保存安定性が高く、長期間連続して使用することが可能なコロイド状シリカスラリーを提供することにある。【解決手段】低金属シリカゾルから調製されてなるコロイド状シリカと抗菌・殺生物剤を含有してなり、pHが6.0〜8.0であることを特徴とするコロイド状シリカスラリーとする。

請求項（抜粋）：

低金属シリカゾルから調製されてなるコロイド状シリカと抗菌・殺生物剤を含有してなり、pHが6.0〜8.0であることを特徴とするコロイド状シリカスラリー。

IPC (14件)：

H01L 21/304 622 , A01N 25/04 103 , A01N 25/08 , A01N 31/08 , A01N 33/12 , A01N 35/06 , A01N 43/36 , A01N 43/64 104 , A01N 43/78 , A01N 43/80 102 , A01N 47/44 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14

FI (14件)：

H01L 21/304 622 D , A01N 25/04 103 , A01N 25/08 , A01N 31/08 , A01N 33/12 , A01N 35/06 , A01N 43/36 C , A01N 43/64 104 , A01N 43/78 Z , A01N 43/80 102 , A01N 47/44 , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z

Fターム (15件)：

3C058CB06 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 4H011AA02 , 4H011BA01 , 4H011BB03 , 4H011BB04 , 4H011BB09 , 4H011BB10 , 4H011BC11 , 4H011BC18 , 4H011DA17 , 4H011DD07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-202269
絶縁材料又は半導体の層のための新規な化学的機械的研磨法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-092965 出願人：クラリアン・(フランス)・ソシエテ・アノニム
特開昭63-318257

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