特許
J-GLOBAL ID：200903023931903905
絶縁材料又は半導体の層のための新規な化学的機械的研磨法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安達 光雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092965
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308379
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 ミクロエレクトロニクス半導体工業で使用するホスホシリケートガラス又はボロホスホシリケートガラスの如き分離材料、又は多結晶ケイ素、エピタキシー単結晶ケイ素、アモルファスケイ素の如き半導体材料の層の化学的機械的研磨法を提供する。【解決手段】 分離材料又は半導体材料の層の磨耗を、懸濁媒体としての水、及びシロキサン結合によって結合されていない個々に分離したコロイドシリカ粒子の中性pH又は中性に近いpHを有する水性懸濁液からなる磨耗材組成物で含浸した布帛で前記層を摩擦することによって行う。
請求項（抜粋）：
マイクロエレクトロニクス半導体工業で使用するホスホシリケートガラス又はボロホスホシリケートガラスの如き分離(isolating )材料又は多結晶ケイ素、エピタキシー単結晶ケイ素、アモルファスケイ素の如き半導体材料(集積回路のためのウエファーの製造に使用した初期ケイ素を除く)の層ための化学的機械的研磨法であって、半導体材料又は絶縁材料の層の磨耗を、磨耗材料で含浸した布帛で前記層を摩擦することによって行う方法において、磨耗材が、シロキサン結合によって結合されていないコロイドシリカの個々の粒子及び懸濁媒体としての水を含有するコロイドシリカの中性pH又は中性に近いpHを有する水性懸濁液からなることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622
, B24B 37/00
H01L 21/304 622 D
, B24B 37/00 H
