化合物半導体単結晶の製造装置及びそれを用いた製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-250244
公開番号（公開出願番号）：特開2001-080989
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】化合物半導体単結晶の長尺結晶、大口径結晶を再現性良く得ることを可能にする。【解決手段】不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたるつぼ5に原料融液、液体封止剤を収納し、種結晶11を原料融液に接触させつつ種結晶11とるつぼ5とを相対的に回転させて、LEC法により化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長させる結晶とるつぼの直径の比{(るつぼ直径)/(結晶直径)}が2.2〜3.2の範囲のるつぼを用いる。

請求項（抜粋）：

不活性ガスを充填した耐圧容器内に収容され加熱されたるつぼに、原料融液、液体封止剤を収納し、種結晶を原料融液に接触させつつ種結晶とるつぼとを相対的に回転させて単結晶を成長させるLEC法による化合物半導体単結晶の製造装置において、成長させる結晶とるつぼの直径の比{(るつぼ直径)/(結晶直径)}を2.2〜3.2の範囲に定めたことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。

IPC (4件)：

C30B 15/10 , C30B 29/40 501 , C30B 29/42 , H01L 21/208

FI (4件)：

C30B 15/10 , C30B 29/40 501 A , C30B 29/42 , H01L 21/208 P

Fターム (18件)：

4G077AA02 , 4G077AB09 , 4G077BE46 , 4G077CF10 , 4G077EG01 , 4G077EJ07 , 5F053AA12 , 5F053AA13 , 5F053BB35 , 5F053BB60 , 5F053DD03 , 5F053DD20 , 5F053FF04 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053LL10 , 5F053RR03 , 5F053RR04

引用特許：

審査官引用 (4件)

単結晶育成装置及び単結晶育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-206137 出願人：株式会社ジャパンエナジー
単結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-196646 出願人：株式会社ジャパンエナジー
単結晶成長方法及び単結晶製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020867 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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