特許
J-GLOBAL ID：200903053084766307
非導電性多孔質体の総表面の処理方法、総表面の処理装置、及び新規の非導電性多孔質改質体
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121722
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053657
出願日： 1997年04月24日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 多孔質体の外側表面だけでなく、多孔質内部の空隙表面を処理することができ、しかも、スパーク放電等による被処理体の損傷が起こりにくく、任意の種類の気体を利用することができ、連続的に処理することが可能な、放電による非導電性多孔質体の総表面を処理する手段を提供する。【解決手段】 それぞれの対向表面側に誘電体層41,42を設けて対向して配置した一対の電極21,22の間に、前記電極とはそれぞれ直接に接触しないが前記誘導体層のそれぞれと外側表面が直接に接触するように非導電性多孔質体11を配置し、周波数が0.1KHz〜100KHzである低周波交流電圧を前記両電極間に印加して、両電極間に挟まれた前記非導電性多孔質体の内部空隙で放電を発生させる。
請求項（抜粋）：
それぞれの対向表面側に誘電体層を設けて対向して配置した一対の電極の間に、前記の一対の電極とはそれぞれ直接に接触しないが前記誘導体層のそれぞれと外側表面が直接に接触するように非導電性多孔質体を配置し、周波数が0.1KHz〜100KHzである低周波交流電圧を前記両電極間に印加して、両電極間に挟まれた前記非導電性多孔質体の内部空隙で放電を発生させることを特徴とする、非導電性多孔質体の総表面の処理方法。
IPC (4件)：
C08J 7/00 303
, C08J 7/00
, B01J 19/08
, C08J 7/12
C08J 7/00 303
, C08J 7/00 A
, B01J 19/08 C
, C08J 7/12 Z
