特許
J-GLOBAL ID:200903053098892461

光電変換素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-308706
公開番号(公開出願番号):特開平9-148596
出願日: 1995年11月28日
公開日(公表日): 1997年06月06日
要約:
【要約】【課題】 化合物半導体を用いた光電変換素子において、変換効率の高い光電変換素子を得る。【解決手段】 p型化合物半導体と集電体層との間に、有機銅硫化物錯体を熱分解することにより硫化銅を含む層を形成し、これを介在させて接合した構成の光電変換素子とする。
請求項(抜粋):
少なくともp型化合物半導体を用いた光電変換素子において、p型化合物半導体と集電体との間に硫化銅を含む層を介在させたことを特徴とする光電変換素子。
引用特許:
審査官引用 (2件)

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