特許
J-GLOBAL ID:200903053118693266

表面弾性波素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-002565
公開番号(公開出願番号):特開2001-196892
出願日: 2000年01月11日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】 KNbO<SB>3</SB>結晶基板はk<SP>2</SP>に優れるが、音速は同じペロブスカイト型酸化物であるSrTiO<SB>3</SB>やCaTiO<SB>3</SB>に比べて遅く、温度特性はSiO<SB>2</SB>に比べて劣っており、それらを両立させることは不可能であった。またモノリシック化において重要であるSi基板上で、Y-XKNbO<SB>3</SB>結晶基板に相当する擬立方晶(100)方向にエピタキシャルさせることは不可能であった。【解決手段】 (100)Si基板1上に(100)配向したNaCl型酸化物MOバッファ層2を介して擬立方晶(100)配向K<SB>1-x</SB>Na<SB>x</SB>Nb<SB>1-y</SB>Ta<SB>y</SB>O<SB>3</SB>(0≦x≦1、0≦y<1)圧電薄膜3をエピタキシャル成長させることにより、高k<SP>2</SP>化、高音速化、零温度特性を具有する表面弾性波素子を実現する。
請求項(抜粋):
(100)シリコン基板と、前記シリコン基板上に(100)配向したNaCl型酸化物MO(M=Mg、Ca、Sr、Ba)をバッファ層とする擬立方晶(100)配向のペロブスカイト型圧電薄膜ABO3、および前記圧電薄膜ABO3の直上もしくは直下にインターディジタル型電極を形成することを特徴とする表面弾性波素子。
IPC (2件):
H03H 9/25 ,  H03H 9/145
FI (2件):
H03H 9/25 C ,  H03H 9/145 C
Fターム (7件):
5J097AA06 ,  5J097AA22 ,  5J097FF02 ,  5J097FF05 ,  5J097HA02 ,  5J097HA03 ,  5J097KK09
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 弾性表面波素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-292646   出願人:山之内和彦, ヤマハ株式会社

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