特許

J-GLOBAL ID：200903053135971393

ポリペリナフタレン系高分子製造方法及びポリペリナフタレン系誘導体

発明者： 佐藤 彰生 ,  久野 裕彦 ,  西尾 悟 ,  田中 宏昌 ,  鶴 明大
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  学校法人立命館
代理人 (4件)： 平木 祐輔 ,  石井 貞次 ,  藤田 節 ,  関口 鶴彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-293863
公開番号（公開出願番号）：特開2009-179794
出願日： 2008年11月17日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：

【課題】原料であるペリレン誘導体から容易にポリペリナフタレン系高分子を製造する。【解決手段】ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子薄膜製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ペリレン誘導体を原料ターゲットとし、パルス幅が10-11秒以下の超短パルスレーザーを用いるレーザーアブレーション法で、基体表面にポリペリナフタレン又はポリペリナフタレン誘導体を化学気相堆積させることを特徴とするポリペリナフタレン系高分子製造方法。

IPC (3件)：

C08G 61/00 ,  C07C 15/20 ,  C07C 25/18

FI (3件)：

C08G61/00 ,  C07C15/20 ,  C07C25/18

Fターム (15件)：

4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB91 ,  4J032BA02 ,  4J032BA12 ,  4J032BB01 ,  4J032BC34 ,  4J032CA12 ,  4J032CB01 ,  4J032CC01 ,  4J032CE01 ,  4J032CE11 ,  4J032CE20 ,  4J032CG01 ,  4J032CG07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許第3049534号公報
  

審査官引用 (2件)

• ポリペリナフタレン薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-056274   出願人：新技術事業団, 菊地理恵, 大木芳正
• 多光子吸収増感反応による導電性高分子の微小パターン形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-219390   出願人：山田勝実