特許
J-GLOBAL ID：200903053137107149

化学増幅系レジストのパタ-ン形成方法

発明者：
吉井 剛

吉井 剛 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-010273
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208408
出願日： 1999年01月19日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 パターン形状の劣化がなく、低温でコンタクト径の縮小を可能とする。【解決手段】 半導体基板上に塗布された化学増幅系レジストに形成したコンタクトパターンを縮小する化学増幅系レジストのパターン形成方法であって、全面露光処理およびベーク処理を施す。全面露光処理は、レジスト3の表面のみを脱保護させることにより、表面と他部分との耐熱性の温度差を持たせる処理であり、ベーク処理は、レジストの表面の耐熱温度と、下部の耐熱温度との中間の温度で半導体基板を熱処理するものである。レジストの表面レジスト表面は脱保護させているので耐熱性が高く、レジスト下部はレジスト表面よりも低くなる。その中間の温度で熱処理を行うことによって、パターンを形状劣化が無く縮小することが出来る。
請求項（抜粋）：
全面露光処理およびベーク処理を施して半導体基板上に塗布された化学増幅系レジストに形成したコンタクトパターンを縮小する化学増幅系レジストのパターン形成方法であって、全面露光処理は、レジスト表面のみを脱保護させることにより、表面と他部分との耐熱性の温度差を持たせる処理であり、ベーク処理は、レジストの表面の耐熱温度と、下部の耐熱温度との中間の温度で半導体基板を熱処理するものであることを特徴とする化学増幅系レジストのパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40
FI (4件)：
H01L 21/30 570 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/30 502 A
Fターム (22件)：
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025CB41 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  5F046AA05 ,  5F046AA07 ,  5F046AA09 ,  5F046AA17 ,  5F046AA28
引用特許：
審査官引用 (4件)
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