半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-047833
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252324
出願日： 2001年02月23日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
要約：

【要約】【課題】 L値のばらつきを低減し、高いQ値を有するRF信号処理用のVCO回路を提供する。【解決手段】受信系および送信系回路(LNA、ミキサ、PLL、VCO等)のうち、VCO回路以外の回路を、半導体チップ6内に形成し、VCO回路を別チップ(半導体チップ4、5)とする。さらに、VCO回路を構成するコイルおよびコンデンサ等の素子のうち、コイル以外の素子を半導体チップ5内に形成し、コイルを前記半導体チップが実装されるパッケージ基板1上にプリント配線3cとして形成する。

請求項（抜粋）：

支持基板上に形成されたプリント配線と、プリント配線上に実装された半導体チップを有する半導体装置であって、前記プリント配線は、発振回路を構成するインダクタとなる配線を含み、前記半導体チップは、発信回路を構成するコンデンサを含んでいることを特徴とする半導体装置。

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