特許

J-GLOBAL ID：200903053147872536

シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

発明者： 桝村 寿 ,  鈴木 清 ,  工藤 秀雄
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-142994
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339980
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 シリコンウェーハの研磨作業において、研磨ウェーハの平坦度及び表面粗さを低下させることなく、その研磨速度を向上させ、生産性を高めることにより、生産コスト削減を図ることを可能としたシリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法を提供する。【構成】 シリカ含有研磨剤を主成分とし、研磨剤の総量に対して0.01〜10.0vol%のエチレンジアミン及び0.005〜0.3wt%のカテコールを添加してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリカ含有研磨剤を主成分とし、研磨剤の総量に対して0.01〜10.0vol%のエチレンジアミン及び0.005〜0.3wt%のカテコールを添加してなることを特徴とするシリコンウェーハ研磨用研磨剤。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P ,  C09K 3/14 550 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315881   出願人：日本電気株式会社