特許
J-GLOBAL ID：200903053151529749

セラミックの多層デバイス及びその製造方法

発明者：
ルッツ キルステン

ルッツ キルステン について


出願人/特許権者：
エプコス アクチエンゲゼルシャフト

エプコス アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (4件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-588576
公開番号（公開出願番号）：特表2004-521510
出願日： 2001年05月08日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
モノリスのデバイスボディを備えたセラミック多層デバイスが提案され、これはデバイスボディ中でセラミック層と電極層とを交互に有している。この電極層はデバイスの側面に配置された2つのコレクタ電極と交互に結合していて、その際、内部に配置された電極の材料はタングステンを有し、従って少なくともタングステン又はタングステン化合物を含有する。
請求項（抜粋）：
両側に電極(5)を備えた複数のセラミック層(4)からなり、1つのモノリスのデバイスボディ(8)に結合させる積層物を有し、前記の電極層はデバイスの側面に取り付けられたコレクタ電極(6,6′)と交互に接触しているセラミック多層デバイスにおいて、セラミック層がPTCセラミックを有し、かつ少なくとも内部に配置された電極(5)の材料はタングステンを有することを特徴とする、セラミック多層デバイス。
IPC (4件)：
H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/40 ,  H01G13/00
FI (9件)：
H01G4/12 358 ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301C ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311F ,  H01G13/00 391E ,  H01G13/00 391H ,  H01G4/40 307A
Fターム (28件)：
5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC23 ,  5E082BC40 ,  5E082DD03 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082MM22 ,  5E082MM24 ,  5E082PP06
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
  • 積層型半導体セラミック素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-089746   出願人：株式会社村田製作所
  • 特開平1-233702
  • 特開平1-233702
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