特許

J-GLOBAL ID：200903053160535123

半導体記憶装置

発明者： 加藤 好治
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-231869
公開番号（公開出願番号）：特開平7-085669
出願日： 1993年09月17日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】本発明は書き込み速度を向上させ、かつ消費電力を低減し得る半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】ワード線WLの選択に基づいて選択された記憶セルCからセル情報がビット線BL,バーBLに読み出される。ビット線BL,バーBLに読み出されたセル情報がセンスアンプSAでラッチされ、センスアンプでラッチされたセル情報がコラム選択信号φY に基づいてデータバスDB,バーDBに出力される。データバスDB,バーDBにはライトアンプ活性化信号φW に基づいて、選択された記憶セルCに対し書き込みデータを出力するライトアンプ3が接続される。センスアンプSAには、ライトアンプ活性化信号φW に基づいて、該センスアンプSAを不活性化する不活性化回路8が接続される。

請求項（抜粋）：

ワード線(WL)の選択に基づいて選択された記憶セル(C)からセル情報をビット線(BL,バーBL)に読み出し、前記ビット線(BL,バーBL)に読み出されたセル情報をセンスアンプ(SA)でラッチし、前記センスアンプ(SA)でラッチされたセル情報をコラム選択信号(φY )に基づいてデータバス(DB,バーDB)に出力し、データバス(DB,バーDB)にはライトアンプ活性化信号(φW )に基づいて、選択された記憶セル(C)に対し書き込みデータを出力するライトアンプ(3)を接続した半導体記憶装置であって、前記センスアンプ(SA)には、前記ライトアンプ活性化信号(φW )に基づいて、該センスアンプ(SA)を不活性化する不活性化回路(8)を接続したことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-278593
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-288754   出願人：富士通株式会社