特許

J-GLOBAL ID：200903053160926793

金属バリア層と銅との間の密着促進剤として用いられる超薄膜タングステン金属膜および超薄膜タングステン金属膜を用いた基板に銅薄膜を密着させる方法

発明者： ウェイ パン ,  デビット アール エバンス ,  シェン テン スー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-126073
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006856
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】CVD銅の密着性を向上させる。【解決手段】集積回路構造内の基板に銅薄膜を密着させる方法は、活性領域ならびに相互接続線構造用のビアホールおよび溝の形成を含む基板を調製する工程と、基板上に金属バリア層22を堆積する工程と、金属バリア層上にタングステン超薄膜層24を堆積する工程と、タングステン超薄膜層上に銅薄膜26を堆積する工程と、過剰な銅およびタングステン超薄膜層を金属バリア層のレベルまで除去する工程と、集積回路構造を完成させる工程とを含む。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

集積回路構造内の基板に銅薄膜を密着させる方法であって、 活性領域ならびに相互接続線構造用のビアホールおよび溝の形成を含む基板を調製する工程と、 該基板上に金属バリア層を堆積する工程と、 該金属バリア層上にタングステン超薄膜層を堆積する工程と、 該タングステン超薄膜層上に銅薄膜を堆積する工程と、 過剰な銅およびタングステンを該金属バリア層のレベルまで除去する工程と、 該集積回路構造を完成させる工程と、 を包含する方法。

IPC (2件)：

H01L21/3205 ,  H01L21/768

FI (2件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/90 A

Fターム (30件)：

5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP02 ,  5F033PP03 ,  5F033PP06 ,  5F033PP11 ,  5F033PP14 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033WW02 ,  5F033XX13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-311538   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の積層配線構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-111999   出願人：日本電信電話株式会社