特許
J-GLOBAL ID：200903053183102747
微細パターンの3次元形状測定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008998
公開番号（公開出願番号）：特開2004-219343
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】半導体デバイス上の任意の微細パターンの3次元形状を計測する方法を提供する。【解決手段】光学式の測定機構でテストパターンの断面形状情報を計測すると共に電子顕微鏡で任意パターンの電子線像を取得し、電子線像から得られる任意パターンの平面情報と断面形状情報を組み合わせることにより任意パターンの3次元形状を測定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された微細パターンの3次元形状を測定する方法であって、前記基板を光学的に計測して前記微細パターンの高さの情報を得、前記基板を電子顕微鏡で撮像して前記微細パターンの電子線画像情報を得、前記得た微細パターンの高さの情報と電子線画像情報とを用いて前記微細パターンの3次元形状を測定することを特徴とする微細パターンの3次元形状測定方法。
IPC (3件)：
G01B15/00
, H01J37/22
, H01L21/66
G01B15/00 B
, H01J37/22 502H
, H01L21/66
2F067AA23
, 2F067AA26
, 2F067AA33
, 2F067AA52
, 2F067AA53
, 2F067AA54
, 2F067BB01
, 2F067BB04
, 2F067BB27
, 2F067CC17
, 2F067HH06
, 2F067JJ05
, 2F067KK00
, 2F067KK04
, 2F067RR19
, 2F067RR33
, 2F067SS02
, 2F067SS13
, 4M106AA01
, 4M106AA07
, 4M106AB20
, 4M106BA02
, 4M106BA04
, 4M106CA38
, 4M106CA51
, 4M106DB05
, 4M106DJ11
