特許
J-GLOBAL ID：200903053183454465

発光ダイオード

発明者：
村上 哲朗

村上 哲朗 について

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倉橋 孝尚

倉橋 孝尚 について

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中津 弘志

中津 弘志 について

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細羽 弘之

細羽 弘之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-337371
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274456
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 電極の真下での発光を制限して光取出し効率の向上を図る。【解決手段】 n型GaAs基板41上に、n型GaAsバッファ層42,n型GaAlInPクラッド層43,p型GaAlInP発光層44,p型GaAlInP第1クラッド層46,p型AlInP第2クラッド層47,p型GaInP第1電流拡散層48及びn型GaInP電流阻止層49を順次積層する。そして、電流阻止層49の内部を円形に除去して電流径路54を形成する。さらにp型GaInP第2電流拡散層50,p型GaAsコンタクト層51およびp側電極53を積層して、コンタクト層51及びp側電極53における電流径路54の真上を円形に除去して、電極窓55を形成する。こうして、p側電極53からの電流を、電流径路54を通過させて発光層44の内部に集中的に供給してp側電極53の直下に電流が流れないようにし、光取り出し効率を向上させる。
請求項（抜粋）：
GaAlInP材料からなる発光層をp型クラッド層とn型クラッド層とで挟持すると共に、上記p型クラッド層は、上記発光層に近い側に位置してAl混晶比が小さく不純物濃度の低い第1p型クラッド層と上記発光層から遠い側に位置してAl混晶比が大きく不純物濃度の高い第2p型クラッド層とから成るダブルヘテロ接合型の発光ダイオードにおいて、上記p型クラッド層側に形成されたp側電極と、上記n型クラッド層側に形成されたn側電極と、上記p側電極から上記n側電極への電流を部分的に阻止する電流阻止層を備えたことを特徴とする発光ダイオード。
FI (2件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 E
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA58 ,  5F041CA60 ,  5F041CA93 ,  5F041CB03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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