特許
J-GLOBAL ID:200903053214706387
分子線エピタキシー装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-208052
公開番号(公開出願番号):特開2000-044384
出願日: 1998年07月23日
公開日(公表日): 2000年02月15日
要約:
【要約】【課題】 真空チャンバ内のシュラウドからの付着物の落下を防止する。【解決手段】 真空チャンバ内に設けられ液体窒素により冷却されるシュラウドを有する分子線エピタキシー装置において、シュラウドの内壁面を凹凸形状にする。
請求項(抜粋):
真空チャンバ内に設けられ液体窒素により冷却されるシュラウドを有する分子線エピタキシー装置において、シュラウドの内壁面を凹凸形状にしたことを特徴とする分子線エピタキシー装置。
IPC (2件):
FI (2件):
C30B 23/08 M
, H01L 21/203 M
Fターム (5件):
4G051AC11
, 5F103AA04
, 5F103BB60
, 5F103RR06
, 5F103RR10
引用特許:
審査官引用 (2件)
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特開平3-237085
-
エピタキシャル結晶成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-235020
出願人:三菱電機株式会社
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