特許
J-GLOBAL ID：200903053225575993

発光装置

発明者：
西 毅

西 毅 について

, 
瀬尾 哲史

瀬尾 哲史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343617
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229278
出願日： 2002年11月27日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 TFTの特性に影響を与えることなく、また、これまで用いられてきたアルカリ金属やアルカリ土類金属といった材料を用いた場合のように陰極からの電子の注入性を向上させるような発光素子を提供する。【解決手段】 陰極に接する有機化合物層に電子供与体として機能する有機化合物(以下、ドナー性分子と示す)をドーピングすることにより、陰極と有機化合物層の間にそれぞれの最低空分子軌道(LUMO:Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位の間のドナー準位を形成することができるので、陰極からの電子の注入、および注入された電子の伝達を効率良く行うことができる。また、電子の移動に伴うエネルギーの余分な損失や有機化合物層自体の変質等の問題もないことから陰極材料の仕事関数に拘わらず電子の注入性を向上させると共に駆動電圧の低下を実現することができる。
請求項（抜粋）：
陽極、陰極、及び有機化合物層を有する発光装置であって、前記陽極と前記陰極との間に前記有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、発光層および電子輸送層を有し、前記電子輸送層の少なくとも一部に電子伝達領域を有し、前記電子伝達領域はドナー性分子を含み、かつ前記陰極と接して形成されることを特徴とする発光装置。
IPC (2件)：
H05B 33/22 ,  H05B 33/14
FI (2件)：
H05B 33/22 B ,  H05B 33/14 A
Fターム (8件)：
3K007AB03 ,  3K007AB11 ,  3K007BA06 ,  3K007BB01 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM