ナノ-イネーブルな、ナノワイヤおよびナノワイヤ混成物が組み込まれた大面積マクロエレクトロニクス基板のアプリケーション

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 森下夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-500328
公開番号（公開出願番号）：特表2006-501690
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：

ナノワイヤを実装したマクロエレクトロニクス基板材料を開示する。これらの基板材料によれば、多種多様な用途に用いられる基礎的な電子素子(トランジスタなど)が得られる。また、このようなマクロエレクトロニクス基板材料の製造方法を開示する。用途の一つとして、小型・軽量センサにおけるRF(高周波)信号の送受信がある。このようなセンサは、分散型センサネットワークの形に構成してセキュリティ監視用に提供することができる。さらに、高周波識別(RFID)タグを得るための方法および装置を開示する。RFIDタグは、アンテナおよびビームステアリング・アレイを有する。ビームステアリング・アレイは、複数の同調可能素子を有する。また、ナノワイヤの使用により可能となる音響打消しデバイスおよび可調移相器を得るための方法および装置を開示する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された可調移相器であって、基板上にあって第1の導電セグメントおよび第2の導電セグメントを含む導体線と、該第1の導電セグメントおよび該第2の導電セグメントと電気的に接触させて該基板上に形成されたナノワイヤ薄膜と、該ナノワイヤ薄膜と電気的に接触させて該第1の導電セグメントと該第2の導電セグメントとの間に設けられた複数のゲートコンタクトと、を備え、該導体線を通して伝送される電気信号の位相を、該複数のゲートコンタクトの中の少なくとも1つのゲートコンタクトに印加される電圧を変えることにより調整する、可調移相器。

IPC (1件)：

H01L 29/786

FI (2件)：

H01L29/78 626Z , H01L29/78 618B

Fターム (32件)：

5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG30 , 5F110GG42 , 5F110GG60 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110HK33

引用特許：

審査官引用 (1件)

高圧ガス噴射エンジンへの燃料の供給の制御方法及びそのエンジン
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004829 出願人：マーン・ベー・オグ・ドバルドヴェー・ディーゼール・アクティーゼルスカブ

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