レジストパターンの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-071416
公開番号（公開出願番号）：特開平8-272107
出願日： 1995年03月29日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【構成】基板1上に非感光性のネガ型フォトレジスト材料よりなる下層レジスト塗膜2を形成した後、これと相溶しない感光性のポジ型フォトレジスト材料よりなる上層レジスト塗膜3を形成した後、上層レジスト塗膜3に対する選択露光を行って、露光部3aの現像液に対する溶解度を高める。その後、現像処理により、前記露光部3aを溶解させると共に、残存部3bをマスクとして、下層レジスト塗膜2をも溶解させる。そして、下層レジスト塗膜2のエッジを残存部3bのエッジよりも後退させると、下層レジスト塗膜2の残存部2bと上層レジスト塗膜3の残存部3bよりなるレジストパターン6がオーバーハング状となる。【効果】オーバーハング状の断面形状を有するレジストパターンを少ない工程数にて低コストに形成できる。このため、リストオフ法による配線パターンの形成プロセスに費やすコストを著しく低減できる。

請求項（抜粋）：

基板上に、非感光性の下層レジスト塗膜を形成した後、該下層レジスト塗膜上に、これと相溶しない感光性の上層レジスト塗膜を形成するレジスト塗膜形成工程と、前記上層レジスト塗膜に対する選択露光を行って、該上層レジスト塗膜内に現像液に対する溶解度が相対的に低い低溶解度領域と相対的に高い高溶解度領域とからなる潜像を形成する露光工程と、現像液を用いて、前記高溶解度領域を選択的に溶解させると共に、低溶解度領域をマスクとして下層レジスト塗膜を、そのパターン・エッジを該低溶解度領域のパターン・エッジよりも後退させるごとく溶解させる現像工程とを経ることにより、全体としてオーバーハング状の断面形状を有するレジストパターンを形成することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/26 513 , G03F 1/08 , G03F 7/008 , G03F 7/022 , G03F 7/30 , H01L 21/027 , H01L 21/3205

FI (8件)：

G03F 7/26 513 , G03F 1/08 A , G03F 7/008 , G03F 7/022 , G03F 7/30 , H01L 21/30 573 , H01L 21/30 576 , H01L 21/88 G

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭55-113046
特開昭61-159731
特開平4-326722

全件表示

前のページに戻る