特許
J-GLOBAL ID：200903053239228854
量子ドット-無機マトリックス複合体の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-283540
公開番号（公開出願番号）：特開2009-263621
出願日： 2008年11月04日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】無機マトリックス前駆体溶液に均質に分散される量子ドット前駆体を用いて、比較的低温で発光量子ドット-無機マトリックス複合体を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明は、量子ドット前駆体を含む無機マトリックス前駆体溶液を製造した後、前記マトリックス前駆体溶液を基板上にスピンコーティングして熱処理して量子ドット-無機マトリックス複合体を得るという量子ドット-無機マトリックス複合体の製造方法に関する。本発明により製造される量子ドット-無機マトリックス複合体は、無機マトリックス中に高効率の量子ドットが高密度で充填され、発光効率に優れ、低温工程で容易に製造することができ、様々なディスプレイ及び電子素子の材料として有用に使用することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一種以上の量子ドット前駆体を含む無機マトリックス前駆体溶液を準備する段階と、
前記量子ドット前駆体を含む無機マトリックス前駆体溶液を基板上にスピンコーティングして無機マトリックス薄膜を形成する段階と、
無機マトリックスの内部で前記量子ドット前駆体を量子ドットとして成長させつつ、前記無機マトリックス薄膜を熱処理して無機マトリックスを形成させて、量子ドット-無機マトリックス複合体を得る段階とを含む、量子ドット-無機マトリックス複合体の製造方法。
IPC (5件)：
C09K 11/00
, H01L 33/00
, B82B 3/00
, B82B 1/00
, H01S 5/343
C09K11/00 A
, H01L33/00 D
, B82B3/00
, B82B1/00
, H01L33/00 B
, H01L33/00 C
, H01S5/343
, H01S5/343 610
4G059AA08
, 4G059AA09
, 4G059AA11
, 4G059AC30
, 4G059CA01
, 4G059CA08
, 4G059CB05
, 4H001CA02
, 4H001CC03
, 4H001CC05
, 4H001CC06
, 4H001XA34
, 4H001XA48
, 5F041AA31
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA41
, 5F041CA73
, 5F173AF08
, 5F173AH02
, 5F173AH22
, 5F173AH32
, 5F173AH34
, 5F173AP62
, 5F173AR99
