特許

J-GLOBAL ID：200903053248721687

レジストパタ-ンの形成方法

発明者： 大西 秀人
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-145222
公開番号（公開出願番号）：特開平8-314156
出願日： 1995年05月19日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 半導体のエッチング用のレジストに微細パターンを容易且つ良好に形成する。【構成】 ナフトキノンジアジド系物質及びフェノール系樹脂を含むポジ形レジスト層1を半導体基板2の主面上に形成する。超音波振動を加えたアルカリ水溶液中に半導体基板2を浸漬し、レジスト層1の露出表面側をアルカリ水溶液で処理して難溶性部分1bを形成する。レジスト層1の基板側部分よりも表面側部分を強く乾燥させる。マスクを使用して選択的に露光し、その後現像する。

請求項（抜粋）：

ナフトキノンジアジド系物質及びフェノール系樹脂を含むポジ形レジスト層を基板の主面に形成する第1の工程と、超音波振動を加えたアルカリ水溶液中に前記基板を浸漬させることによって前記ポシ形レジスト層の表面側にアルカリ水溶液を浸透させて前記ポジ形レジスト層の表面側に前記ナフトキノンジアジド系物質と前記フェノール系樹脂とが結合して成る部分を形成する第2の工程と、前記ポジ形レジスト層の所定領域をマスクを使用して選択的に露光する第3の工程と、前記ポジ形レジスト層に現像を施して前記ポジ形レジスト層の前記所定領域を選択的に除去する第4の工程とを備えたレジストパターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 565

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平1-219740
  
• 織物等の浸染方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-290573   出願人：日本ボーア株式会社
• 母材の強化層形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093093   出願人：石川島播磨重工業株式会社
• 特開昭63-039662
  
• 特開平4-189503
  
• レジスト塗布方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-346534   出願人：シャープ株式会社