特許
J-GLOBAL ID：200903053255959699
中性子発生装置及び中性子照射システム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-063256
公開番号（公開出願番号）：特開2007-240330
出願日： 2006年03月08日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】BNCTを行うにあたり、中性子を照射する自由度を向上させること。【解決手段】この中性子発生装置は、高エネルギーの陽子が通過する陽子通路と、高エネルギーの陽子が照射されて中性子を発生するターゲット1とを備える。そして、ターゲット1の周囲には、陽子の照射によってターゲット1から発生した中性子を減速する中性子減速部3が複数配置される。また、中性子減速部3の外側には、ターゲット1から発生した中性子を反射させるとともに増倍させて、中性子減速部3へ導く反射体5が設けられる。【選択図】 図2-2
請求項（抜粋）：
高エネルギーの陽子が通過する陽子通路と、
前記高エネルギーの陽子が照射されて中性子を発生するターゲットと、
前記ターゲットの周囲に複数配置されるとともに、前記陽子の照射によって前記ターゲットから発生した中性子を減速する中性子減速部と、
前記ターゲットから発生した前記中性子を反射させるとともに増倍させて前記中性子減速部へ導く反射体と、
を含んで構成されることを特徴とする中性子発生装置。
IPC (6件)：
G21K 5/08
, H05H 6/00
, G21K 5/02
, G21K 1/00
, H05H 3/06
, A61N 5/10
G21K5/08 N
, H05H6/00
, G21K5/02 N
, G21K1/00 N
, H05H3/06
, A61N5/10 H
, A61N5/10 N
, A61N5/10 K
2G085AA11
, 2G085BA17
, 2G085BE02
, 2G085BE06
, 2G085BE10
, 2G085EA07
, 4C082AA01
, 4C082AC07
, 4C082AE01
, 4C082AG01
, 4C082AG22
, 4C082AG42
