特許
J-GLOBAL ID：200903062299309259

中性子発生装置及びターゲット、並びに中性子照射システム

発明者：
馬場 譲

馬場 譲 について

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中村 尚司

中村 尚司 について

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米内 俊祐

米内 俊祐 について

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田原 義壽

田原 義壽 について

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小田 泰嗣

小田 泰嗣 について

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横堀 仁

横堀 仁 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-228638
公開番号（公開出願番号）：特開2006-047115
出願日： 2004年08月04日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】BNCTに適した中性子を効率的に発生させること。【解決手段】この中性子発生装置100は、20MeV以上のエネルギーを持つ陽子が照射されて中性子を発生するターゲット1と、前記陽子の照射によって前記ターゲット1から発生した中性子を減速する中性子減速部3と、鉛で構成され、前記ターゲットから発生した前記中性子を反射させるとともに増倍させて前記中性子減速部3へ導く反射体5と、を含んで構成される。陽子は、例えばサイクロトロン等の加速器により、ターゲット1へ照射される。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
高エネルギーの陽子が照射されて中性子を発生するターゲットと、 前記陽子の照射によって前記ターゲットから発生した中性子を減速する中性子減速部と、 (n、xn)反応を生ずる物質で構成され、前記ターゲットから発生した前記中性子を反射させるとともに増倍させて前記中性子減速部へ導く反射体と、 を含んで構成されることを特徴とする中性子発生装置。
IPC (6件)：
G21K 5/02 ,  A61N 5/10 ,  G21K 1/00 ,  G21K 5/08 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00
FI (6件)：
G21K5/02 N ,  A61N5/10 H ,  G21K1/00 N ,  G21K5/08 N ,  H05H3/06 ,  H05H6/00
Fターム (10件)：
2G085AA11 ,  2G085BA17 ,  2G085BE02 ,  2G085BE10 ,  2G085DA03 ,  2G085DA10 ,  2G085EA07 ,  4C082AC07 ,  4C082AE01 ,  4C082AG02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (14件)
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