特許
J-GLOBAL ID：200903053258771917

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

発明者：
寺崎 昌人

寺崎 昌人 について

, 
筒口 和典

筒口 和典 について


出願人/特許権者：
国際電気株式会社

国際電気株式会社 について


代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-356974
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235676
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】プラズマ処理終了後の基板搬送ミスや絶縁破壊を防止できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】基板10を基板載置台44上に載置し、内槽70内を排気する一方で、反応ガス導入管37から反応ガスSiH4 、およびN2 Oを内槽70内に導入して内槽70内を30〜100Paの圧力に調圧しつつ、高周波電力を印加してプラズマを発生させて基板10上にSiO2 膜の成膜を行なう。成膜に必要な時間が経過すると、高周波電力の印加は止め、反応ガスの導入、排気、内槽70内の調圧は継続する。この状態で、アノードヒータ41を下降させ、基板昇降ピン52を上昇させて基板載置台44から基板10を持ち上げる。基板10が持ち上がった後に、反応ガスの供給および内槽70内の調圧を止め、内槽70、外槽20内を高真空にする。その後、基板10を基板搬出口23から搬出する。
請求項（抜粋）：
処理室内のガスに高周波を印加して発生させたプラズマを利用して前記処理室内の基板載置台に載置された基板のプラズマ処理を行う工程と、前記高周波の印加を止めた後、前記処理室内において前記基板を所定のガス雰囲気中に所定の時間晒す工程と、その後、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
C23C 16/44 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
FI (7件)：
C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B
引用特許：
審査官引用 (3件)

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