高周波用半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338691
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178306
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】高周波信号を伝送損失を低減し、特性劣化なく伝送するとともに、寸法ずれが生じても特性劣化の少ない半導体装置の構造を提供する。【解決手段】誘電体基板2の表面に高周波用半導体素子5を搭載されたと、誘電体基板2の表面に被着形成された第1のマイクロストリップ線路Aと、誘電体基板2の底面に被着形成された第2のマイクロストリップ線路Bと、前記誘電体基板内に形成されたスロット孔9を有するグランド層8を具備し、第1および第2のマイクロストリップ線路A,Bおよびスロット孔9を、線路A,Bのスロット孔9の中心直上から各線路の端部までの長さをML、スロット孔9の長径をSL、線路A,Bにおける波長をλ1 、スロット孔9における波長をλ2 とした時、ML、SL、λ1 、λ2 が特定条件を満足するように配置して、線路Aと線路Bとを伝送損失を低減させて電磁的に結合させたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

誘電体基板と、該誘電体基板の表面に搭載された高周波用半導体素子と、該誘電体基板の表面に被着形成され前記高周波用半導体素子と電気的に接続された第1のマイクロストリップ線路と、前記誘電体基板の底面に被着形成された第2のマイクロストリップ線路と、前記誘電体基板内に形成されたスロット孔を有するグランド層を具備し、前記第1および第2のマイクロストリップ線路および前記スロット孔を、前記第1および第2のマイクロストリップ線路の前記スロット孔の中心直上から前記各線路の端部までの長さをML(mm)、前記スロット孔の長径をSL(mm)、前記マイクロストリップ線路における波長をλ1 (mm)、前記スロット孔における波長をλ2 (mm)とした時、下記数1【数1】または、下記数2【数2】を満足するように配置して、前記第1のマイクロストリップ線路と前記第2のマイクロストリップ線路とを電磁的に結合させたことを特徴とする高周波用半導体装置。

IPC (4件)：

H01P 5/02 603 , H01L 23/12 301 , H01P 3/08 , H01P 5/08

FI (4件)：

H01P 5/02 603 , H01L 23/12 301 L , H01P 3/08 , H01P 5/08 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

マイクロ波半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-110944 出願人：三菱電機株式会社

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