特許
J-GLOBAL ID：200903053264222755
InP系分布帰還型半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223771
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 n-InP基板の表面の回折格子の形状を保存すること。【解決手段】 成長室RにH2 (不活性ガスでも良い。あるいはH2 と不活性ガスとの混合ガスでも良い。)を供給すると共に、この成長室Rを加熱して熱変形防止層20の生成温度範囲内の温度である350°Cまで昇温する。そして、この成長室Rの室温をそのまま350°Cに安定させる。
請求項（抜粋）：
Pを含む下地の回折格子の表面上に、熱変形防止層を有機金属気相成長法によって成長させて、該熱変形防止層の表面上に上側層を成長させることにより、InP系分布帰還型半導体レーザを製造するに当たり、水素雰囲気中または不活性ガス雰囲気中で、前記下地の温度を前記熱変形防止層の生成温度まで上昇させ、然る後、該熱変形防止層の原料であるGaの有機金属化合物およびAsH3 を前記回折格子の表面上にそれぞれ同時に供給することを特徴とするInP系分布帰還型半導体レーザの製造方法。
Fターム (5件)：
5F073AA51
, 5F073AA64
, 5F073AA74
, 5F073CA12
, 5F073DA05
