多層電子素子製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-504271
公開番号（公開出願番号）：特表平10-505463
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1998年05月26日
要約：

【要約】複数の多層電子素子を製造するに当たり、(a)複数のセラミックテープの層(3,3’)の各々の一方の側に電極パターン(5,5’)を設け、連続する層(3,3’)の電極パターン(5,5’)が互いに前後オフセットするように堆積し、互いにプレスすることによって薄層シート(1)を製造するステップと、(b)連続する電極が相違する断片端部で既に露出するように薄層シート(1)を断片に切断するステップと、(c)これら断片を焼結するステップと、(d)露出した電極を所定の断片端部で相互接続する電気的なコンタクトを設けるステップとを具え、切断するステップ(b)を、薄層シート(1)の平面上に集束レーザビーム(7)を指導するとともに、選択した切断経路(13)に沿ってそのビーム(7)をトレースするためにビーム(7)をシート(1)に対して相対移動させることによって実行し、これによりビーム(7)の遮断(9)及びシート(1)を、不燃焼ガスの流れによって冷却する。

請求項（抜粋）：

(a)複数のセラミックテープの層の各々の一方の側に電極パターンを設け、連続する層の電極パターンが互いに前後オフセットするように堆積し、互いにプレスすることによって薄層シートを製造するステップと、 (b)連続する電極が相違する断片端部で既に露出するように前記薄層シートを断片に切断するステップと、 (c)これら断片を焼結するステップと、 (d)露出した電極を所定の断片端部で相互接続する電気的なコンタクトを設けるステップとを具える、複数の多層電子素子を製造する多層電子素子製造方法において、前記切断するステップ(b)を、前記薄層シートの平面上に集束レーザビームを指導するとともに、選択した切断経路に沿ってそのビームをトレースするために前記ビームを前記シートに対して相対移動させることによって実行し、これにより前記ビームの遮断及び前記シートを、不燃焼ガスの流れによって冷却することを特徴とする多層電子素子製造方法。

IPC (5件)：

H01L 41/09 , B23K 26/14 , H01G 4/12 364 , H01G 4/30 311 , H01L 41/22

FI (5件)：

H01L 41/08 C , B23K 26/14 Z , H01G 4/12 364 , H01G 4/30 311 A , H01L 41/22 Z

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-352481
特開昭63-230289
特開平4-352481

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