特許

J-GLOBAL ID：200903053276242085

ジベンゾチオフェン誘導体、製造方法及びその用途

発明者： 渡辺 真人 ,  山本 敏秀 ,  大橋 知一
出願人/特許権者： 東ソー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-020471
公開番号（公開出願番号）：特開2007-197400
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能なジベンゾチオフェン誘導体、製造工程が短縮され経済的に優れる該誘導体の製造方法、並びに、該誘導体を用いた耐酸化性有機半導体材料並びに有機薄膜を提供する。【解決手段】一般式で示されるジベンゾチオフェン誘導体、及びジハロビフェニル誘導体をリチオ化及び/又はグリニャール化した後、硫黄化合物又は硫黄と反応させて製造する。[R1〜R4は水素原子、アルキル基等を示す。mは0又は1の整数。]【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示されるジベンゾチオフェン誘導体であり、下記(a)及び(b)の場合を除くジベンゾチオフェン誘導体。 (a)mが0であり且つA1環が一般式(A-2)で示される。 (b)mが1であり、A1及びA2環が共に一般式(A-2)で示され且つ置換基R1〜R4と置換基R9〜R12が共に水素である。

IPC (5件)：

C07D 333/78 ,  C07C 25/22 ,  C07D 233/50 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (5件)：

C07D333/78 ,  C07C25/22 ,  C07D233/50 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250H

Fターム (3件)：

4H006AA01 ,  4H006AB84 ,  4H006EA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 有機半導体素子
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2002008070   出願人：旭化成株式会社