特許
J-GLOBAL ID：200903053277983658

薄膜電極とその製造方法およびその薄膜電極を用いたリチウム二次電池

発明者：
杉山 拓

杉山 拓 について

, 
上田 篤司

上田 篤司 について

, 
青山 茂夫

青山 茂夫 について


出願人/特許権者：
日立マクセル株式会社

日立マクセル株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337895
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108523
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 電極の膨張、集電体の皺寄れ、および活物質薄膜内部のクラックの発生が少なく、かつ、柔軟性の高い薄膜電極とその製造方法、およびその薄膜電極を用いた電池容量、サイクル特性およびレート特性の高いリチウム二次電池を提供する。【解決手段】 リチウムと合金化しない金属から形成された集電体2と、集電体2の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む薄膜3とを備え、薄膜3の空隙率が、1%以上40%未満である薄膜電極1とする。また、リチウムと合金化しない金属からなる集電体2の表面に、リチウムと合金化する元素と空隙形成材とを含む薄膜3を、電解めっき法により形成する工程と、薄膜3中の上記空隙形成材を除去することにより、薄膜3の空隙率を1%以上40%未満にする工程とを含む薄膜電極の製造方法とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
リチウムと合金化しない金属から形成された集電体と、前記集電体の表面に形成され、リチウムと合金化する元素を含む薄膜とを備えた薄膜電極であって、 前記薄膜の空隙率が、1%以上40%未満であることを特徴とする薄膜電極。
IPC (5件)：
H01M4/02 ,  H01M4/04 ,  H01M4/38 ,  H01M4/66 ,  H01M10/40
FI (5件)：
H01M4/02 D ,  H01M4/04 A ,  H01M4/38 Z ,  H01M4/66 A ,  H01M10/40 Z
Fターム (37件)：
5H017AA03 ,  5H017AS02 ,  5H017CC01 ,  5H017EE01 ,  5H017HH03 ,  5H029AJ02 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AK03 ,  5H029AL11 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029AM09 ,  5H029AM12 ,  5H029AM16 ,  5H029CJ12 ,  5H029CJ24 ,  5H029DJ07 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ04 ,  5H029HJ09 ,  5H050AA02 ,  5H050AA07 ,  5H050AA08 ,  5H050BA16 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB11 ,  5H050DA04 ,  5H050GA12 ,  5H050GA24 ,  5H050HA02 ,  5H050HA04 ,  5H050HA09
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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