特許
J-GLOBAL ID:200903053279461241
単結晶の熱処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 赤堀 龍吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-251886
公開番号(公開出願番号):特開2007-001849
出願日: 2005年08月31日
公開日(公表日): 2007年01月11日
要約:
【課題】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶、特にLnとしてイオン半径がTbよりも小さいDy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y及びScからなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を用いた単結晶であっても、蛍光出力のバックグラウンドの増加が十分に抑制され、しかも蛍光出力のばらつきも十分に防止でき蛍光出力特性が十分に向上可能となる単結晶の熱処理方法を提供する。【解決手段】 特定のセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素の少ない雰囲気中、下記式(3)で表される条件を満足する温度T1(単位:°C)で加熱する工程を有する単結晶の熱処理方法。 800≦T1<(Tm1-550) (3)ここで、式(3)中、Tm1(単位:°C)は上記単結晶の融点を示す。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)又は(2)で表されるセリウム付活珪酸塩化合物の単結晶を酸素の少ない雰囲気中、下記式(3)で表される条件を満足する温度T1(単位:°C)で加熱する工程を有する、単結晶の熱処理方法。
Y2-(x+y)LnxCeySiO5 (1)
[式(1)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、xは0〜2の数値を示し、yは0超0.2以下の数値を示す。]
Gd2-(z+w)LnzCewSiO5 (2)
[式(2)中、Lnは希土類元素に属する元素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を示し、zは0超2以下の数値を示し、wは0超0.2以下の数値を示す。]
800≦T1<(Tm1-550) (3)
[式(3)中、Tm1(単位:°C)は前記単結晶の融点を示す。]
IPC (5件):
C30B 33/02
, C09K 11/00
, C09K 11/08
, C09K 11/79
, C30B 29/34
FI (5件):
C30B33/02
, C09K11/00 E
, C09K11/08 D
, C09K11/79
, C30B29/34 Z
Fターム (13件):
4G077AA02
, 4G077BD15
, 4G077FE03
, 4G077FE11
, 4G077HA01
, 4H001CA08
, 4H001XA00
, 4H001XA08
, 4H001XA14
, 4H001XA39
, 4H001XA64
, 4H001XA71
, 4H001YA58
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)