配線形成方法および配線形成装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-179551
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016724
出願日： 2007年07月09日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】表面形状および/または伝熱特性が一様でない基板でも、基板上に形成された塗布層の任意の部位に均一なレーザ光の照射スポットを形成でき、かつ熱エネルギの制御を行える配線形成方法および配線形成装置を提供すること。【解決手段】表面の形状および/または特性が一様でない基板1上に、導電性微粒子を含有する分散溶液を塗布して塗布層3を形成する工程と、基板1表面の各位置における形状および/または特性を示す基板属性情報に基づいて、レーザ光6を塗布層3の配線形成領域に連続的に供給して、導電性微細配線4を形成する工程と、塗布層3中の導電性微細配線4以外の領域の材料を除去する工程と、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

表面の形状および/または特性が一様でない基板上に、導電性微粒子を含有する分散溶液を塗布して塗布層を形成する第1の工程と、前記基板表面の各位置における形状および/または特性を示す基板属性情報に基づいて、熱エネルギを前記塗布層の配線形成領域に連続的に供給して、導電性微細配線を形成する第2の工程と、前記塗布層中の前記導電性微細配線以外の領域の材料を除去する第3の工程と、を含むことを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H05K 3/10 , H01L 21/320 , H01L 21/288 , H05K 1/02

FI (4件)：

H05K3/10 C , H01L21/88 B , H01L21/288 Z , H05K1/02 B

Fターム (38件)：

4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104BB39 , 4M104DD51 , 4M104DD81 , 4M104HH14 , 5E338AA05 , 5E338CD01 , 5E338CD19 , 5E338EE21 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB28 , 5E343BB34 , 5E343BB71 , 5E343DD69 , 5E343ER45 , 5E343FF24 , 5E343FF30 , 5E343GG08 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH10 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033LL02 , 5F033LL04 , 5F033PP26 , 5F033QQ51 , 5F033QQ53 , 5F033XX03

引用特許：

出願人引用 (1件)

配線基板の製法およびそれを用いて製造した配線基板ならびに電子装置、電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-239041 出願人：御田護

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