特許

J-GLOBAL ID：200903053300641840

プラズマ処理装置

発明者： 青木 克明 ,  新村 忠 ,  齋藤 秀一 ,  土肥 孝好
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-091124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339990
出願日： 1996年04月12日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【課題】 この発明は基板のほぼ全面にわたって処理速度を均一化できるようにしたプラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】 反応性ガスを励起する励起部26および基板14が設置される処理部13とからなるチャンバ11と、上記励起部に上記反応性ガスを導入する供給管32と、上記励起部に導入された上記反応性ガスを励起するマイクロ波の導波管19と、上記励起部と処理部との間に設けられ上記励起部で発生した活性種を上記処理部へ流入させる通孔41が形成されているとともに、その通孔による開口率が径方向中心部よりも周辺部の方が高く設定された整流板25とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

反応性ガスを励起してプラズマ化することで活性種を発生させ、その活性種で被処理物を処理するプラズマ処理装置において、上記反応性ガスを励起する励起部および上記被処理物が設置される処理部とを有するチャンバと、上記励起部に上記反応性ガスを導入するガス導入手段と、上記励起部に導入された上記反応性ガスを励起する励起手段と、上記励起部と処理部との間に設けられ上記励起部で発生した活性種を上記処理部へ流入させる通孔が形成されているとともに、その通孔による開口率が径方向中心部よりも周辺部の方が高く設定された整流板とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-188916
  
• 特開昭62-045029
  
• 特開昭63-027022
  
• プラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-046817   出願人：株式会社日立製作所