特許

J-GLOBAL ID：200903053304446341

窒化物半導体レーザ素子、その製造方法及びそれを備えた半導体光学装置

発明者： 荒木 正浩 ,  上田 吉裕 ,  伊藤 茂稔 ,  種谷 元隆 ,  高倉 輝芳 ,  元木 健作
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-306631
公開番号（公開出願番号）：特開2004-146420
出願日： 2002年10月22日
公開日（公表日）： 2004年05月20日
要約：

【課題】レーザ発振寿命の長い窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体レーザ素子は、窒化物半導体基板とその上に積層された窒化物半導体層より成る。基板はドット状の転位集中領域と転位集中領域を除いた領域である低転位領域を有し、窒化物半導体層はストライプ状のレーザ光導波領域を有する。レーザ光導波領域は低転位領域上に設けられており、周期的に並ぶ複数の転位集中領域と平行または垂直である。レーザ光導波領域と最近接の転位集中領域との水平方向の距離は30μm以上である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化物半導体基板とその上に積層された窒化物半導体層を備える窒化物半導体レーザ素子であって、 窒化物半導体基板が複数の点状の転位集中領域と転位集中領域を除いた領域である低転位領域を有し、 窒化物半導体層がストライプ状のレーザ光導波領域を窒化物半導体基板の低転位領域上に有し、 レーザ光導波領域とこれに最近接の転位集中領域との中心間距離が30μm以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (1件)：

H01S5/323

FI (1件)：

H01S5/323 610

Fターム (9件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-315703   出願人：住友電気工業株式会社, ソニー株式会社