半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体素子の製造方法、半導体素子、素子の製造方法および素子

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-315703
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124572
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】発光特性などの特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体発光素子や特性が良好で信頼性も高く長寿命の半導体素子を実現する。【解決手段】第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域A中に第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域Bが規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板1上に発光素子構造あるいは素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子あるいは半導体素子を製造する際に、第2の領域Bが実質的に含まれないように窒化物系III-V族化合物半導体基板上に素子領域2を画定するか、発光領域2あるいは活性領域に第2の領域Bが実質的に含まれないようにする。

請求項（抜粋）：

第1の平均転位密度を有する結晶からなる第1の領域中に上記第1の平均転位密度より高い第2の平均転位密度を有する複数の第2の領域が規則的に配列している窒化物系III-V族化合物半導体基板上に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、上記第2の領域が実質的に含まれないように上記窒化物系III-V族化合物半導体基板上に素子領域を画定するようにしたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 , H01S 5/02 , H01S 5/22 610

FI (4件)：

H01S 5/323 610 , H01L 33/00 C , H01S 5/02 , H01S 5/22 610

Fターム (16件)：

5F041AA40 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F073AA11 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073AB05 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA32 , 5F073DA34 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (6件)

GaN系結晶成長用基板およびその用途
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-005682 出願人：三菱電線工業株式会社
半導体基板および半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-056109 出願人：株式会社リコー
窒化ガリウム系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-361420 出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝

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